MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPB19DP10NMATMA1, VDSS 100 V, ID 13.8 A, N, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 235-4845
- Nº ref. fabric.:
- IPB19DP10NMATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*
4,38 €
(exc. IVA)
5,30 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 980 unidad(es) más para enviar a partir del 06 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,19 € | 4,38 € |
| 20 - 48 | 1,965 € | 3,93 € |
| 50 - 98 | 1,84 € | 3,68 € |
| 100 - 198 | 1,725 € | 3,45 € |
| 200 + | 1,595 € | 3,19 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 235-4845
- Nº ref. fabric.:
- IPB19DP10NMATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 13.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Modo de canal | N | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 13.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Modo de canal N | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET de canal P Infineon OptiMOS™ de 100V plg. En encapsulado D²PAK representan la nueva tecnología diseñada para aplicaciones de gestión de batería, conmutación de carga y protección contra polaridad inversa. La principal ventaja de un dispositivo de canal P es la reducción de la complejidad del diseño en aplicaciones de media y baja potencia. Su interfaz sencilla con MCU, conmutación rápida y resistencia a avalancha lo convierten en adecuado para aplicaciones exigentes de alta calidad. Está disponible en el nivel normal con un amplio rango RDS(ON) y mejora la eficiencia con cargas bajas gracias al bajo QG. Se utiliza en gestión de baterías y automatización industrial.
Ideal para frecuencia de conmutación alta y baja
Robustez de avalancha
Encapsulado de montaje superficial de tamaño estándar del sector
Rendimiento sólido y fiable
Aumento de la seguridad del suministro