MOSFET Infineon ISC022N10NM6ATMA1, VDSS 100 V, ID 230 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines

ISC022N10NM6 OptiMOSTM 6 de 100 V en nivel normal establece el nuevo estándar de tecnología en el campo de los MOSFET de potencia discreta. En comparación con los productos alternativos, la tecnología de oblea fina líder de Infineon permite ventajas significativas de rendimiento.
El MOSFET de potencia industrial OptiMOSTM 6 de 100 V de Infineon está diseñado para aplicaciones de alta frecuencia de conmutación como fuentes de alimentación de servidor y telecomunicaciones, pero también es la elección ideal para otras aplicaciones como solares, herramientas eléctricas y aviones no tripulados.
En el encapsulado SuperSO8, se consiguen mejoras de ∼20 % en la resistencia de estado activo (RDS(on)) y un 30 % mejor índice de méritos (FOM - RDS(on) x Qg y Qgd) en comparación con la tecnología anterior OptiMOSTM 5. Esto permite a los diseñadores aumentar la eficiencia, lo que permite un diseño térmico más sencillo y menos paralelismo, lo que conduce a una reducción de costes del sistema.

En comparación con OptiMOSTM 5, la nueva tecnología logra:
•RDS(on) ∼20% más bajo
•FOMg mejorada en un 30% y FOMgd mejorada en un 40%
•Carga de recuperación inversa más baja y suave (Qrr)
•Ideal para alta frecuencia de conmutación
•MSL 1 clasificado según J-STD-020
•Temperatura nominal de unión de 175 °C
•Energía de avalancha nominal alta
•Tiene chapado de cable sin plomo.
•En conformidad con RoHS

•Bajas pérdidas de conducción
•Pérdidas de conmutación bajas
•Encendido y apagado rápido
•Requiere menos conexión en paralelo
•Rendimiento fiable y robusto
•Respetuoso con el medio ambiente
•Requiere menos conexión en paralelo