MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 59 A, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
232-6761
Nº ref. fabric.:
ISC0804NLSATMA1
Fabricante:
Infineon
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Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

59A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

OptiMOS 5

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

14.9mΩ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

60W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

24nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

5.35mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.1mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia OptiMOS PD de 100 V de Infineon está diseñado para aplicaciones de adaptador y USB-PD. Su encapsulado SuperSO8 ofrece una aceleración rápida y plazos de entrega optimizados. Los MOSFET de baja tensión OptiMOS para suministro de alimentación permiten diseños con menos piezas, lo que permite reducir los costes de la lista de materiales. OptiMOS PD incluye productos de calidad en encapsulados compactos y ligeros.

Disponibilidad de nivel lógico

Excelente comportamiento térmico

100 % a prueba de avalancha

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