MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 57 A, SO-8
- Código RS:
- 257-9295
- Nº ref. fabric.:
- IRF6644TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 257-9295
- Nº ref. fabric.:
- IRF6644TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 57A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 13mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 89W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 28nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 57A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 89W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 28nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie IRF de Infineon es la familia de mosfet de potencia IRFET resistente optimizada para RDS (encendido) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez.
Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Corriente nominal alta
Capacidad de refrigeración de lado doble
Baja altura del encapsulado de 0,7 mm
Encapsulado de inductancia parásita baja (1 a 2 nH)
100 % sin plomo (sin exención RoHS)