MOSFET, N-Canal Infineon IRF6644TRPBF, VDSS 100 V, ID 57 A, Mejora, SO-8
- Código RS:
- 257-9296
- Nº ref. fabric.:
- IRF6644TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,215 € | 6,43 € |
| 20 - 48 | 2,83 € | 5,66 € |
| 50 - 98 | 2,665 € | 5,33 € |
| 100 - 198 | 2,48 € | 4,96 € |
| 200 + | 1,765 € | 3,53 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 257-9296
- Nº ref. fabric.:
- IRF6644TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 57A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 13mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 28nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 89W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 57A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 28nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 89W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie HEXFET de Infineon, tensión de drenaje-fuente máxima de 100 V, corriente de drenaje continua máxima de 57 A - IRF6644TRPBF
Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N diseñado para la conmutación y el control de potencia en sistemas electrónicos. Funciona en un amplio rango de temperaturas y se suministra en un encapsulado SO-8 compacto para montaje en conjuntos de circuitos impresos. El dispositivo es adecuado donde se requiere un manejo de alta corriente y una caída de diodo hacia delante modesta, y cumple las restricciones ambientales de RoHS.
Características y ventajas:
• La tensión nominal de 100 V permite una capacidad de conmutación de alta tensión
• La corriente continua de 57 A admite aplicaciones de carga pesada
• La Rds(on) de 13 mΩ reduce las pérdidas de conducción durante el funcionamiento
• La disipación de potencia de 89 W permite una carga térmica sostenida
• La carga de puerta de 28 nC permite requisitos de accionamiento de puerta predecibles
• La corriente continua de 57 A admite aplicaciones de carga pesada
• La Rds(on) de 13 mΩ reduce las pérdidas de conducción durante el funcionamiento
• La disipación de potencia de 89 W permite una carga térmica sostenida
• La carga de puerta de 28 nC permite requisitos de accionamiento de puerta predecibles
Aplicaciones
• Apto para convertidores dc-dc en fuentes de alimentación
• Ideal para rectificación síncrona en fuentes de alimentación de modo conmutado
• Se utiliza con etapas de accionamiento de motor que requieren alta corriente
• Se puede utilizar para conmutación de lado alto o lado bajo
• Apto para circuitos intermedios de bus y de gestión de potencia
• Ideal para rectificación síncrona en fuentes de alimentación de modo conmutado
• Se utiliza con etapas de accionamiento de motor que requieren alta corriente
• Se puede utilizar para conmutación de lado alto o lado bajo
• Apto para circuitos intermedios de bus y de gestión de potencia
¿Cuál es el rango de temperatura ambiente de funcionamiento admisible?
Funciona a un mínimo de –55 °C hasta un máximo de 150 °C.
¿Qué límites de tensión de puerta deben respetarse durante el accionamiento?
La puerta no debe superar ±20 V con respecto a la fuente para evitar daños.
¿Cómo se comporta el diodo intrínseco en conducción directa?
El diodo integrado presenta una tensión directa de 1,3 V durante la conducción.
¿Qué embalaje se debe esperar para el montaje de placas?
Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie SO-8 adecuado para montaje de soldadura estándar.