MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF6644TRPBF, VDSS 100 V, ID 57 A, SO-8

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Código RS:
257-9296
Nº ref. fabric.:
IRF6644TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

57A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

HEXFET

Encapsulado

SO-8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

13mΩ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

89W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

28nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

La serie IRF de Infineon es la familia de mosfet de potencia IRFET resistente optimizada para RDS (encendido) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez.

Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución

Calificación del producto conforme al estándar JEDEC

Corriente nominal alta

Capacidad de refrigeración de lado doble

Baja altura del encapsulado de 0,7 mm

Encapsulado de inductancia parásita baja (1 a 2 nH)

100 % sin plomo (sin exención RoHS)

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