MOSFET Infineon IRFP3710PBF, VDSS 100 V, ID 57 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Este MOSFET está diseñado para una gestión eficiente de la potencia en una gran variedad de aplicaciones electrónicas. Presenta una configuración de canal N y maneja una elevada corriente de drenaje continua, garantizando un rendimiento eficaz incluso a temperaturas elevadas y mostrando una baja resistencia a la conexión, lo que lo hace adecuado para entornos industriales.

• La alta capacidad de corriente de drenaje continua favorece un gran rendimiento
• La tensión de drenaje-fuente máxima de 100 V aumenta la versatilidad
• El bajo RDS(on) de 25mΩ minimiza la pérdida de energía durante el funcionamiento
• La elevada capacidad de disipación de 200 W permite una gestión eficaz de la energía
• El transistor de modo de mejora permite controlar las operaciones de conmutación
• El encapsulado TO-247AC facilita la integración en aplicaciones con orificios pasantes

• Ideal para circuitos de alimentación
• Habituales en los sistemas de control de motores
• Adecuado para soluciones de gestión de energía en automoción
• Utilizado en sistemas de gestión de baterías

La temperatura máxima de funcionamiento alcanza hasta +175 °C, lo que permite un funcionamiento eficaz en entornos de altas temperaturas.

Soporta una corriente de drenaje continua de 57 A, lo que le permite alimentar aplicaciones de alta demanda sin fallos.

Sí, el encapsulado TO-247AC permite el montaje a través de orificios, lo que simplifica la integración en diversas placas de circuitos.

Este dispositivo puede gestionar cargas importantes gracias a su elevada disipación de potencia de 200 W, adecuada para aplicaciones de trabajo pesado.

Sí, funciona eficazmente con una tensión de umbral de puerta de entre 2 V y 4 V, lo que garantiza la compatibilidad con diversos circuitos de accionamiento.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.