MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 600 V, ID 57 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

Ver todo MOSFET
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
Código RS:
230-9086
Nº ref. fabric.:
NTHL041N60S5H
Fabricante:
onsemi
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

57A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-247

Serie

SUPERFET V

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

41mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

108nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

329W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

Pb-Free, RoHS

Anchura

4.82 mm

Longitud

15.87mm

Altura

41.07mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET SUPERFET V serie ON Semiconductor es la familia de MOSFET de superempalme (SJ) de alta tensión de quinta generación de ON Semiconductor. SUPERFET V proporciona los mejores FOM de su clase (RDS(ON)·QG y RDS(ON)·EOSS) para mejorar no solo la carga pesada sino también la eficiencia de carga ligera. La serie SUPERET V de 600 V proporciona ventajas de diseño gracias a la reducción de pérdidas de conmutación y conducción, al tiempo que admite valores nominales de DVD/dt de MOSFET extremos a 120 V/ns. Por tanto, la serie SUPERFET V MOSFET FAST ayuda a maximizar la eficiencia del sistema y la densidad de potencia.

100 % a prueba de avalancha

Compatible con RoHS

Típ. RDS(ON) = 32,8 mΩ

Resistencia de puerta interna: 0,6 Ω

Carga de compuerta ultrabaja (Típ. QG = 108 nC)

Enlaces relacionados