MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 600 V, ID 45.8 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
145-5482
Nº ref. fabric.:
FCH47N60NF
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

45.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

SupreMOS

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

65mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

121nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

368W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

4.82 mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Altura

20.82mm

Longitud

15.87mm

Estándar de automoción

No

MOSFET SupreMOS®, Fairchild Semiconductor


Fairchild aporta una nueva generación de MOSFET Super-Junction y SupreMOS® de 600 V.

La combinación de su baja RDS(on) y la carga de compuerta total aporta un factor de mérito (FOM) un 40 por ciento inferior en comparación con los MOSFET SuperFET™ de 600 V de Fairchild. Además, la familia SupreMOS ofrece una carga de compuerta baja para la misma RDS(on), lo que proporciona un excelente rendimiento de conmutación y un 20 por ciento menos pérdidas conducción y conmutación, lo que ofrece una mayor eficicacia.

Estas características permiten fuentes de alimentación para cumplir la clasificación Oro ENERGY STAR® 80 PLUS para PC de sobremesa y la clasificación Platino para servidores.

Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

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