MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 600 V, ID 45.8 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 145-5482
- Nº ref. fabric.:
- FCH47N60NF
- Fabricante:
- onsemi
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 145-5482
- Nº ref. fabric.:
- FCH47N60NF
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 45.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | SupreMOS | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 65mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -30, +30V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 368W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 121nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 20.82mm | |
| Longitud | 15.87mm | |
| Anchura | 4.82mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 45.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie SupreMOS | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 65mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -30, +30V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 368W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 121nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 20.82mm | ||
Longitud 15.87mm | ||
Anchura 4.82mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET SupreMOS®, Fairchild Semiconductor
Fairchild aporta una nueva generación de MOSFET Super-Junction y SupreMOS® de 600 V.
La combinación de su baja RDS(on) y la carga de compuerta total aporta un factor de mérito (FOM) un 40 por ciento inferior en comparación con los MOSFET SuperFET™ de 600 V de Fairchild. Además, la familia SupreMOS ofrece una carga de compuerta baja para la misma RDS(on), lo que proporciona un excelente rendimiento de conmutación y un 20 por ciento menos pérdidas conducción y conmutación, lo que ofrece una mayor eficicacia.
Estas características permiten fuentes de alimentación para cumplir la clasificación Oro ENERGY STAR® 80 PLUS para PC de sobremesa y la clasificación Platino para servidores.
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
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