MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 600 V, ID 33 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 230-9088
- Nº ref. fabric.:
- NTHL099N60S5
- Fabricante:
- onsemi
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Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 33A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | SUPERFET V | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 99mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 184W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 48nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 41.07mm | |
| Anchura | 4.82mm | |
| Longitud | 15.87mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 33A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie SUPERFET V | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 99mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 184W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 48nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 41.07mm | ||
Anchura 4.82mm | ||
Longitud 15.87mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET SUPERFET V serie ON Semiconductor es la familia de MOSFET de superempalme (SJ) de alta tensión de quinta generación de ON Semiconductor. SUPERFET V proporciona los mejores FOM de su clase (RDS(ON)·QG y RDS(ON)·EOSS) para mejorar no solo la carga pesada sino también la eficiencia de carga ligera. La serie SUPERET V de 600 V proporciona ventajas de diseño gracias a la reducción de pérdidas de conmutación y conducción, al mismo tiempo que admite valores nominales de DVD/dt de MOSFET extremos a 120 V/ns y valores nominales de DVD/dt de diodo de cuerpo alto a 50 V/ns. Por tanto, la serie SUPERFET V MOSFET Easy Drive combina un excelente rendimiento de conmutación sin sacrificar la facilidad de uso para topologías de conmutación dura y suave. Ayuda a gestionar los problemas de EMI y facilita la implementación del diseño con una excelente eficiencia del sistema.
Carga de compuerta ultrabaja (Típ. QG = 48 nC)
Baja pérdida de conmutación
Baja capacitancia de salida relacionada de tiempo (Típ. COSS(tr.) = 642 pF)
Baja pérdida de conmutación
Capacitancia optimizada
Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs
650 V A TJ = 150 °C.
Típ. RDS(ON) = 79,2 m Ω
100 % a prueba de avalancha
Compatible con RoHS
Resistencia de puerta interna: 6,9 Ω
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