MOSFET, N-Canal Vishay SIHG33N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 33 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 178-0893
- Nº ref. fabric.:
- SIHG33N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
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- Nº ref. fabric.:
- SIHG33N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 33A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | EF | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 98mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 103nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -30V, +30V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 278W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 20.82mm | |
| Anchura | 5.31mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 15.87mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 33A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie EF | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 98mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 103nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -30V, +30V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 278W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 20.82mm | ||
Anchura 5.31mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 15.87mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de canal N con diodo rápido, serie EF, Vishay Semiconductor
Menor tiempo de recuperación inversa, carga de recuperación inversa y corriente de recuperación inversa
Bajo factor de mérito (FOM)
Baja capacitancia de entrada (Ciss)
Mayor solidez por la baja carga de recuperación inversa
Carga de compuerta (Qg) ultrabaja
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
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