MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 600 V, ID 33 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 178-0893
- Nº ref. fabric.:
- SIHG33N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
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| 100 + | 2,884 € | 144,20 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 178-0893
- Nº ref. fabric.:
- SIHG33N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 33A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | EF | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 98mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 278W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 103nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 20.82mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 15.87mm | |
| Anchura | 5.31 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 33A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie EF | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 98mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 278W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 103nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 20.82mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 15.87mm | ||
Anchura 5.31 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de canal N con diodo rápido, serie EF, Vishay Semiconductor
Menor tiempo de recuperación inversa, carga de recuperación inversa y corriente de recuperación inversa
Bajo factor de mérito (FOM)
Baja capacitancia de entrada (Ciss)
Mayor solidez por la baja carga de recuperación inversa
Carga de compuerta (Qg) ultrabaja
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
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