MOSFET Vishay SIHG039N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 61 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 188-4875
Nº ref. fabric.:: SIHG039N60EF-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SIHG039N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 61 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 29/10/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (En un Tubo de 25)

9,35 €

(exc. IVA)

11,31 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Tubo*
25 +	9,35 €	233,75 €

*precio indicativo

Código RS:: 188-4875
Nº ref. fabric.:: SIHG039N60EF-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Datasheet SIHG039N60EF-GE3

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Modelo DE ALIMENTACIÓN DE LA SERIE EF con diodo de cuerpo rápido.

Tecnología de la serie E de cuarta generación
Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja
Capacitancia efectiva baja (Co(er))
APLICACIONES
Fuentes de alimentación de servidores y equipos de telecomunicaciones
Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS)
Fuentes de alimentación con corrección de factor de potencia (PFC)

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	61 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	600 V
Tipo de Encapsulado	TO-247AC
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	40 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	5V
Tensión de umbral de puerta mínima	3V
Disipación de Potencia Máxima	357 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	±30 V
Longitud	15.87mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	5.31mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	84 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	20.82mm
Tensión de diodo directa	1.2V

MOSFET Vishay SIHG039N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 61 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Especificaciones

Enlaces relacionados