MOSFET, N-Canal Vishay SIHG039N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 61 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
188-4875
Nº ref. fabric.:
SIHG039N60EF-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

61A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

SiHG039N60EF

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

40mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

357W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

84nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

20.82mm

Longitud

15.87mm

Anchura

5.31mm

Estándar de automoción

No

Modelo DE ALIMENTACIÓN DE LA SERIE EF con diodo de cuerpo rápido.

Tecnología de la serie E de cuarta generación

Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja

Capacitancia efectiva baja (Co(er))

APLICACIONES

Fuentes de alimentación de servidores y equipos de telecomunicaciones

Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS)

Fuentes de alimentación con corrección de factor de potencia (PFC)

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