MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHG105N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 29 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
204-7209
Nº ref. fabric.:
SIHG105N60EF-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

29A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-247

Serie

SiHG105N60EF

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

102mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

208W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

53nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.21 mm

Longitud

15.87mm

Altura

20.7mm

Estándar de automoción

No

El Vishay serie EF MOSFET de potencia con diodo de cuerpo rápido tiene una tecnología de la serie E de 4th generación. Ha reducido las pérdidas de conducción y conmutación.

Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja

Baja capacitancia efectiva (Co(er)

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