MOSFET, N-Canal Vishay SIHB30N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 29 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 768-9310
- Nº ref. fabric.:
- SIHB30N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 768-9310
- Nº ref. fabric.:
- SIHB30N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 29A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | E | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 125mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 85nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 250W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 4.83mm | |
| Anchura | 9.65mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 29A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie E | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 125mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 85nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 250W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 4.83mm | ||
Anchura 9.65mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N, serie E, bajo factor de mérito, Vishay Semiconductor
Los MOSFET de potencia de la serie E de Vishay son transistores de alta tensión con un nivel máximo en resistencia, factor de mérito bajo y una conmutación rápida. Están disponibles en una amplia gama de corrientes nominales. Las aplicaciones típicas incluyen servidores y fuentes de alimentación para telecomunicaciones, iluminación LED, convertidores Flyback, corrección de factor de potencia (PFC) y fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS).
Características
Bajo factor de mérito (FOM) RDS(on) x QG
Baja capacitancia de entrada (Ciss)
Nivel bajo en resistencia (RDS(on))
Carga de compuerta (Qg) ultrabaja
Conmutación rápida
Menores pérdidas por conmutación y conducción
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
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