MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIHB150N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 22 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 279-9905
- Nº ref. fabric.:
- SIHB150N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 279-9905
- Nº ref. fabric.:
- SIHB150N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 22A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | E | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.137Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 36nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 179W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 22A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie E | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.137Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 36nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 179W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.67mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 600 V, corriente de drenaje continua de 22 A - SIHB150N60E-GE3
Este MOSFET de potencia es un dispositivo semiconductor de canal N de alta tensión diseñado para funciones de conmutación y conversión de potencia en entornos industriales exigentes. Funciona en un amplio rango ambiente y se suministra en un encapsulado TO-263 de montaje en superficie para aplicaciones en las que se requiere el manejo de potencia y la gestión térmica montados en placa.
Características y ventajas:
• Valor nominal de drenaje de 600 V que permite la conmutación de alta tensión
• Corriente de drenaje continua de 22 A para una manipulación de carga sostenida
• Rds(on) bajo de 0,137 Ω que reduce las pérdidas por conducción
• Disipación de potencia de 179 W para un rendimiento térmico elevado
• Carga de puerta típica de 36 nC para un control de conmutación predecible
• Límite de puerta de 30 V que permite márgenes de accionamiento de puerta robustos
• Corriente de drenaje continua de 22 A para una manipulación de carga sostenida
• Rds(on) bajo de 0,137 Ω que reduce las pérdidas por conducción
• Disipación de potencia de 179 W para un rendimiento térmico elevado
• Carga de puerta típica de 36 nC para un control de conmutación predecible
• Límite de puerta de 30 V que permite márgenes de accionamiento de puerta robustos
Aplicaciones
• Adecuado para inversores de accionamiento de motor industriales
• Ideal para fuentes de alimentación de modo conmutado fuera de línea
• Se utiliza con convertidores dc-dc de alta tensión
• Se puede utilizar para etapas de corrección del factor de potencia
• Adecuado para topologías de conmutación dura en electrónica de potencia
• Ideal para fuentes de alimentación de modo conmutado fuera de línea
• Se utiliza con convertidores dc-dc de alta tensión
• Se puede utilizar para etapas de corrección del factor de potencia
• Adecuado para topologías de conmutación dura en electrónica de potencia
¿Qué consideraciones sobre el encapsulado afectan al diseño térmico de la PCB?
El formato de montaje en superficie TO-263 requiere un área de cobre sustancial y vias térmicas debajo del encapsulado para extraer calor y aprovechar la capacidad de disipación de 179 W al tiempo que se mantienen las temperaturas de unión.
¿Cómo afecta la elección de accionamiento de puerta al rendimiento de conmutación?
Con una carga de puerta típica de 36 nC y un Vgs máximo de 30 V, la corriente de controlador y el control de velocidad de derivación influyen directamente en las pérdidas de conmutación y las emisiones electromagnéticas durante las transiciones.
¿Qué condiciones ambientales extremas puede tolerar el dispositivo?
Está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 150 °C, lo que permite su uso en instalaciones expuestas a amplias fluctuaciones de temperatura sin reducción de potencia para un funcionamiento básico.
¿Hay limitaciones en la polaridad o el funcionamiento del canal?
El dispositivo es un MOSFET de canal N de modo de mejora, por lo que requiere una tensión de fuente de puerta positiva en relación con la fuente para encender y debe utilizarse en consecuencia en la topología de circuitos.
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