MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHB22N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 19 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*

7,82 €

(exc. IVA)

9,46 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 1020 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
5 +1,564 €7,82 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
188-4976
Número de artículo Distrelec:
304-38-846
Nº ref. fabric.:
SIHB22N60EF-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

19A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

SiHB22N60EF

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

182mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

48nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

179W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

10.41mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.57mm

Anchura

9.65 mm

Estándar de automoción

No

Modelo DE ALIMENTACIÓN DE LA SERIE EF con diodo de cuerpo rápido.

Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja

Baja capacitancia de entrada (Ciss)

Menores pérdidas por conmutación y conducción

APLICACIONES

Fuentes de alimentación de servidores y equipos de telecomunicaciones

Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS)

Fuentes de alimentación con corrección de factor de potencia (PFC)

Enlaces relacionados