MOSFET, N-Canal Vishay SIHB22N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 19 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidad

Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*

78,25 €

(exc. IVA)

94,70 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 1000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)
Por unidad
Por Tubo*
50 - 501,565 €78,25 €
100 - 2001,346 €67,30 €
250 +1,266 €63,30 €

*precio indicativo

Código RS:
188-4872
Nº ref. fabric.:
SIHB22N60EF-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

19A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

SiHB22N60EF

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

182mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

179W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

48nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

10.41mm

Anchura

9.65mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.57mm

Estándar de automoción

No

Modelo DE ALIMENTACIÓN DE LA SERIE EF con diodo de cuerpo rápido.

Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja

Baja capacitancia de entrada (Ciss)

Menores pérdidas por conmutación y conducción

APLICACIONES

Fuentes de alimentación de servidores y equipos de telecomunicaciones

Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS)

Fuentes de alimentación con corrección de factor de potencia (PFC)

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.