MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 600 V, ID 19 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
188-4872
Nº ref. fabric.:
SIHB22N60EF-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

19A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

SiHB22N60EF

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

182mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

48nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

179W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

4.57mm

Longitud

10.41mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

9.65 mm

Estándar de automoción

No

Modelo DE ALIMENTACIÓN DE LA SERIE EF con diodo de cuerpo rápido.

Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja

Baja capacitancia de entrada (Ciss)

Menores pérdidas por conmutación y conducción

APLICACIONES

Fuentes de alimentación de servidores y equipos de telecomunicaciones

Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS)

Fuentes de alimentación con corrección de factor de potencia (PFC)

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