MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 600 V, ID 8.4 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
210-4973
Nº ref. fabric.:
SiHB186N60EF-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

8.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-263

Serie

EF

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

168mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

21nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

156W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.06mm

Anchura

9.65 mm

Longitud

14.61mm

Estándar de automoción

No

El Vishay serie EF MOSFET de potencia con diodo de cuerpo rápido tiene un tipo de encapsulado D2PAK (TO-263).

Tecnología de la serie E de 4th generación

Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja

Baja capacitancia efectiva (Co(er))

Menores pérdidas por conmutación y conducción

Valor nominal de energía de avalancha (UIS)

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