- Código RS:
- 210-4973
- Nº ref. fabric.:
- SiHB186N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.
Precio unitario (En un Tubo de 50)
2,088 €
(exc. IVA)
2,526 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Tubo* |
---|---|---|
50 - 50 | 2,088 € | 104,40 € |
100 - 200 | 1,754 € | 87,70 € |
250 + | 1,67 € | 83,50 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 210-4973
- Nº ref. fabric.:
- SiHB186N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
El Vishay serie EF MOSFET de potencia con diodo de cuerpo rápido tiene un tipo de encapsulado D2PAK (TO-263).
Tecnología de la serie E de 4th generación
Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja
Baja capacitancia efectiva (Co(er))
Menores pérdidas por conmutación y conducción
Valor nominal de energía de avalancha (UIS)
Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja
Baja capacitancia efectiva (Co(er))
Menores pérdidas por conmutación y conducción
Valor nominal de energía de avalancha (UIS)
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 8,4 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 600 V |
Serie | EF |
Tipo de Encapsulado | D2PAK (TO-263) |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0.168 Ω |
Tensión de umbral de puerta máxima | 3 → 5V |
Número de Elementos por Chip | 1 |
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