MOSFET Vishay SiHB186N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 8,4 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

Código RS:: 210-4973
Nº ref. fabric.:: SiHB186N60EF-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SiHB186N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 8,4 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Precio unitario (En un Tubo de 50)

2,088 €

(exc. IVA)

2,526 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Tubo*
50 - 50	2,088 €	104,40 €
100 - 200	1,754 €	87,70 €
250 +	1,67 €	83,50 €

*precio indicativo

Código RS:: 210-4973
Nº ref. fabric.:: SiHB186N60EF-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Datasheet - SiHB186N60EF-GE3

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

El Vishay serie EF MOSFET de potencia con diodo de cuerpo rápido tiene un tipo de encapsulado D2PAK (TO-263).

Tecnología de la serie E de 4th generación
Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja
Baja capacitancia efectiva (Co(er))
Menores pérdidas por conmutación y conducción
Valor nominal de energía de avalancha (UIS)

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	8,4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	600 V
Serie	EF
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0.168 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima	3 → 5V
Número de Elementos por Chip	1

MOSFET Vishay SiHB186N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 8,4 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

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Especificaciones

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