MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiHA186N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 8.4 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
210-4963
Nº ref. fabric.:
SiHA186N60EF-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

8.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-220

Serie

EF

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

168mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

33W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

21nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

9.7 mm

Altura

4.3mm

Longitud

28.1mm

Estándar de automoción

No

El Vishay serie EF MOSFET de potencia con diodo de cuerpo rápido tiene un tipo de encapsulado TO-220 FULLPAK de cable delgado.

Tecnología de la serie E de 4th generación

Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja

Baja capacitancia efectiva (Co(er))

Menores pérdidas por conmutación y conducción

Valor nominal de energía de avalancha (UIS)

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