MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiHA186N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 8.4 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
210-4963
Nº ref. fabric.:
SiHA186N60EF-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

8.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-220

Serie

EF

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

168mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

21nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

33W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

28.1mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.3mm

Anchura

9.7 mm

Estándar de automoción

No

El Vishay serie EF MOSFET de potencia con diodo de cuerpo rápido tiene un tipo de encapsulado TO-220 FULLPAK de cable delgado.

Tecnología de la serie E de 4th generación

Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja

Baja capacitancia efectiva (Co(er))

Menores pérdidas por conmutación y conducción

Valor nominal de energía de avalancha (UIS)

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