MOSFET, N-Canal Vishay SIHFBC30AS-GE3, VDSS 600 V, ID 3.6 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 165-6093
- Nº ref. fabric.:
- SIHFBC30AS-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 165-6093
- Nº ref. fabric.:
- SIHFBC30AS-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | SiHFBC30AS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.2Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 74W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -30V, +30V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 23nC | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 9.65mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Altura | 4.83mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie SiHFBC30AS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.2Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 74W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -30V, +30V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 23nC | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 9.65mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.67mm | ||
Altura 4.83mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de canal N, de 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
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