MOSFET Vishay SIHB28N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 28 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 177-7628
Nº ref. fabric.:: SIHB28N60EF-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

MOSFET Vishay SIHB28N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 28 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 177-7628
Nº ref. fabric.:: SIHB28N60EF-GE3
Fabricante:: Vishay

COO (País de Origen):: CN

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	28 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	600 V
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Serie	EF Series
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	123 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	250 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	9.65mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	80 nC a 10 V
Longitud	10.67mm
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Altura	4.83mm
Tensión de diodo directa	1.2V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Vishay SIHB28N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 28 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Documentación Técnica

MOSFET de canal N con diodo rápido, serie EF, Vishay Semiconductor