MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB37N60DM2AG, VDSS 600 V, ID 28 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 233-3039
- Nº ref. fabric.:
- STB37N60DM2AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 233-3039
- Nº ref. fabric.:
- STB37N60DM2AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 28A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | STB37N60 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 94mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 54nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 210W | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 4.6mm | |
| Anchura | 10.4 mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Longitud | 15.85mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 28A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie STB37N60 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 94mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 54nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 210W | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 4.6mm | ||
Anchura 10.4 mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Longitud 15.85mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia de canal N de alta tensión STMicroelectronics forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh™ DM2. Ofrece una carga de recuperación (Qrr) y tiempo (trr) muy bajos combinados con baja RDS(on), lo que lo convierte en adecuado para los convertidores de alta eficiencia más exigentes e ideal para topologías de puente y convertidores de desplazamiento de fase ZVS.
Diseñado para aplicaciones de automoción y con certificación AEC-Q101
Diodo de cuerpo de recuperación rápida
Carga de puerta muy baja y capacitancia de entrada
Baja resistencia
100 % a prueba de avalancha
Resistencia dv/dt extremadamente alta
Protección Zener
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