MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB18N60DM2, VDSS 600 V, ID 12 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*

15,06 €

(exc. IVA)

18,225 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 27 de octubre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
5 - 53,012 €15,06 €
10 - 952,564 €12,82 €
100 - 4952,008 €10,04 €
500 +1,696 €8,48 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
111-6459
Nº ref. fabric.:
STB18N60DM2
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-263

Serie

MDmesh DM2

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

290mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

20nC

Disipación de potencia máxima Pd

90W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

9.35mm

Altura

4.6mm

Estándar de automoción

No

MDmesh de canal N serie DM2, STMicroelectronics


Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.

Alta capacidad dV/dt para mejorar la fiabilidad del sistema

Certificación AEC-Q101

Transistores MOSFET, STMicroelectronics


Enlaces relacionados