MOSFET, N-Canal STMicroelectronics STB18N60DM2, VDSS 600 V, ID 12 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 111-6459
- Nº ref. fabric.:
- STB18N60DM2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 111-6459
- Nº ref. fabric.:
- STB18N60DM2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | MDmesh DM2 | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 290mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 90W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -25, +25V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 20nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 9.35mm | |
| Anchura | 10.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 4.6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie MDmesh DM2 | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 290mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 90W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -25, +25V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 20nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 9.35mm | ||
Anchura 10.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 4.6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MDmesh de canal N serie DM2, STMicroelectronics
Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.
Alta capacidad dV/dt para mejorar la fiabilidad del sistema
Certificación AEC-Q101
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
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