MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB18N60M6, VDSS 600 V, ID 13 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 192-4936
- Nº ref. fabric.:
- STB18N60M6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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*precio indicativo
- Código RS:
- 192-4936
- Nº ref. fabric.:
- STB18N60M6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 13A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | STB | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 280mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 16.8nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 4.37mm | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 13A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie STB | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 280mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 16.8nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 4.37mm | ||
Longitud 10.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
La nueva tecnología M6 de MDmesh incorpora los avances más recientes a la conocida y consolidada familia de MOSFETs de SJ. STMicroelectronics se basa en la generación anterior de dispositivos MDmesh a través de su nueva tecnología M6, que combina una excelente mejora de RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más efectivos disponibles, así como una experiencia fácil de usar para obtener la máxima eficiencia de las aplicaciones finales.
Reducción de las pérdidas de conmutación
RDS(on) inferior por área frente a la generación anterior
Resistencia de entrada de punto de inyección baja
Protección Zener
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