MOSFET STMicroelectronics STB18N60M2, VDSS 650 V, ID 13 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 792-5707
Nº ref. fabric.:: STB18N60M2
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics STB18N60M2, VDSS 650 V, ID 13 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

2870 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)

1,18 €

(exc. IVA)

1,43 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
5 +	1,18 €	5,90 €

*precio indicativo

Código RS:: 792-5707
Nº ref. fabric.:: STB18N60M2
Fabricante:: STMicroelectronics

Documentación Técnica

STB18N60M2, STP18N60M2, STW18N60M2, N-Channel 600V, 0.255 Ohm typ., 13A MDmesh II Plus Low Qg Power MOSFET in D2PAK, TO-220 and TO-247 packages Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics

Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).

Transistores MOSFET, STMicroelectronics

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	13 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	650 V
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Serie	MDmesh M2
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	280 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	110 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-25 V, +25 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	10.4mm
Ancho	9.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	21,5 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	4.6mm