MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 7 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
188-8283
Nº ref. fabric.:
STB43N65M5
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

630mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.6V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

70W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

10.4mm

Altura

4.37mm

Anchura

9.35 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

This device is an N-channel Power MOSFET based on the MDmesh™ M5 innovative vertical process technology combined with the well-known PowerMESH™ horizontal layout. The resulting product offers extremely low on-resistance, making it particularly suitable for applications requiring high power and superior efficiency.

Extremely low RDS(on)

Low gate charge and input capacitance

Excellent switching performance

Applications

Switching applications

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