MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 17 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
168-7458
Nº ref. fabric.:
STB24NM60N
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

17A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-263

Serie

MDmesh

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

190mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

46nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Tensión directa Vf

1.6V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

10.75mm

Altura

4.6mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

10.4 mm

Estándar de automoción

No

MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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