MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 11 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
165-6548
Nº ref. fabric.:
STB13N60M2
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

11A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-263

Serie

MDmesh M2

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

380mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Disipación de potencia máxima Pd

110W

Tensión directa Vf

1.6V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

17nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

9.35 mm

Longitud

10.4mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.6mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics


Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).

Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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