MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB13N60M2, VDSS 650 V, ID 11 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 792-5694
- Nº ref. fabric.:
- STB13N60M2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 5 unidades)*
12,90 €
(exc. IVA)
15,60 €
(inc.IVA)
Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 2,58 € | 12,90 € |
| 25 - 45 | 2,452 € | 12,26 € |
| 50 - 120 | 2,206 € | 11,03 € |
| 125 - 245 | 1,988 € | 9,94 € |
| 250 + | 1,886 € | 9,43 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 792-5694
- Nº ref. fabric.:
- STB13N60M2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | MDmesh M2 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 380mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 17nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 4.6mm | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie MDmesh M2 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 380mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 4.6mm | ||
Longitud 10.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-263 de 3 pines