MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB45N60DM6, VDSS 600 V, ID 30 A, Mejora, TO-263 de 2 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*

5.408,00 €

(exc. IVA)

6.544,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 25 de mayo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
1000 +5,408 €5.408,00 €

*precio indicativo

Código RS:
214-850
Nº ref. fabric.:
STB45N60DM6
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

STB

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

2

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

99mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

44nC

Disipación de potencia máxima Pd

210W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Tensión directa Vf

1.6V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

10.4 mm

Altura

4.6mm

Longitud

15.85mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de canal N de alta tensión de STMicroelectronics forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh DM6. En comparación con la anterior generación rápida de MDmesh, el DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), un tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles en el mercado para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y los convertidores de cambio de fase ZVS.

Robustez dv/dt muy alta

Protección Zener

Enlaces relacionados