MOSFET de potencia SuperMESH, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 4 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
168-6689
Nº ref. fabric.:
STB4NK60ZT4
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia SuperMESH

Corriente continua máxima de drenaje ld

4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-263

Serie

SuperMESH

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

18.8nC

Disipación de potencia máxima Pd

70W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.6V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

9.35 mm

Longitud

10.4mm

Altura

4.6mm

Certificaciones y estándares

JEDEC JESD97

Estándar de automoción

No

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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