MOSFET de potencia SuperMESH, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB4NK60ZT4, VDSS 600 V, ID 4 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 687-5190
- Nº ref. fabric.:
- STB4NK60ZT4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 5 unidades)*
11,76 €
(exc. IVA)
14,23 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 29 de septiembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 2,352 € | 11,76 € |
| 10 - 20 | 2,104 € | 10,52 € |
| 25 - 95 | 1,99 € | 9,95 € |
| 100 - 495 | 1,484 € | 7,42 € |
| 500 + | 1,26 € | 6,30 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 687-5190
- Nº ref. fabric.:
- STB4NK60ZT4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET de potencia SuperMESH | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | SuperMESH | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 18.8nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 70W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC JESD97 | |
| Altura | 4.6mm | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET de potencia SuperMESH | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie SuperMESH | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 18.8nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 70W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC JESD97 | ||
Altura 4.6mm | ||
Longitud 10.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
Enlaces relacionados
- MOSFET de potencia SuperMESH VDSS 600 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET SuperMESH con protección zener VDSS 600 V Mejora, TO-220
- MOSFET SuperMESH con protección zener VDSS 600 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET de potencia MDmesh VDSS 800 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET de potencia MDmesh VDSS 800 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-263 de 3 pines