MOSFET de potencia MDmesh, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 11 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
188-8280
Nº ref. fabric.:
STB11NM80T4
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET de potencia MDmesh

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

11A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

TO-263

Serie

STB11NM80

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.4Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-65°C

Tensión directa Vf

0.86V

Disipación de potencia máxima Pd

150W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

43.6nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

9.35 mm

Altura

4.37mm

Longitud

10.4mm

Estándar de automoción

No

These N-channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market.

Low input capacitance and gate charge

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Best RDS(on)Qg in the industry

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