MOSFET de potencia MDmesh, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 11 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
188-8280
Nº ref. fabric.:
STB11NM80T4
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET de potencia MDmesh

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

11A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Serie

STB11NM80

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.4Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

150W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

43.6nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-65°C

Tensión directa Vf

0.86V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

10.4mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.37mm

Estándar de automoción

No

These N-channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market.

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