Transistor MOSFET STMicroelectronics STB11NM80T4, VDSS 800 V, ID 11 A, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
760-9477
Nº ref. fabric.:
STB11NM80T4
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

11 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

800 V

Tipo de Encapsulado

TO-263

Serie

MDmesh

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

400 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

150 W

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

43,6 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

10.75mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Ancho

10.4mm

Altura

4.6mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-65 °C

These N-channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market.

Low input capacitance and gate charge

Low gate input resistance

Best RDS(on)Qg in the industry

Applications

Switching applications

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