MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB18NM80, VDSS 800 V, ID 17 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
761-0392
Nº ref. fabric.:
STB18NM80
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

17A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

TO-263

Serie

MDmesh

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

295mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

70nC

Disipación de potencia máxima Pd

190W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-65°C

Tensión directa Vf

1.6V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

10.4 mm

Altura

4.6mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.75mm

Estándar de automoción

No

MDmesh™ de canal N, 800 V/1500 V, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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