MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 5.2 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
168-7460
Nº ref. fabric.:
STB7NK80ZT4
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

TO-263

Serie

MDmesh, SuperMESH

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.8Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

40nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Tensión directa Vf

1.6V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.6mm

Longitud

10.75mm

Anchura

10.4 mm

Estándar de automoción

No

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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