MOSFET de potencia MDmesh, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB11NM80T4, VDSS 800 V, ID 11 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 188-8461
- Nº ref. fabric.:
- STB11NM80T4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 188-8461
- Nº ref. fabric.:
- STB11NM80T4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET de potencia MDmesh | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | STB11NM80 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.4Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -65°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 43.6nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150W | |
| Tensión directa Vf | 0.86V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 4.37mm | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET de potencia MDmesh | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie STB11NM80 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.4Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -65°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 43.6nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150W | ||
Tensión directa Vf 0.86V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 4.37mm | ||
Longitud 10.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
These N-channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market.
Low input capacitance and gate charge
Low gate input resistance
Best RDS(on)Qg in the industry
Applications
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