MOSFET de potencia MDmesh II, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB23NM50N, VDSS 500 V, ID 17 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 761-0663
- Nº ref. fabric.:
- STB23NM50N
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 unidad)*
5,08 €
(exc. IVA)
6,15 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- 980 Envío desde el 25 de marzo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 1 | 5,08 € |
| 2 + | 4,82 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 761-0663
- Nº ref. fabric.:
- STB23NM50N
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia MDmesh II | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 17A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Serie | MDmesh | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.19Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 45nC | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±25 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.75mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 10.4 mm | |
| Altura | 4.6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia MDmesh II | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 17A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Serie MDmesh | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.19Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 45nC | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±25 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.75mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 10.4 mm | ||
Altura 4.6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MDmesh™ de canal N, 500 V, STMicroelectronics
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
Enlaces relacionados
- MOSFET de potencia MDmesh II VDSS 500 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET de potencia MDmesh VDSS 800 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET de potencia MDmesh VDSS 800 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, TO-263 de 3 pines