MOSFET SuperMESH con protección zener, N-Canal STMicroelectronics STP10NK60Z, VDSS 600 V, ID 10 A, Mejora, TO-220 de 3
- Código RS:
- 485-7412
- Nº ref. fabric.:
- STP10NK60Z
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 5 unidades)*
17,22 €
(exc. IVA)
20,84 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 12 de febrero de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 3,444 € | 17,22 € |
| 50 - 120 | 2,968 € | 14,84 € |
| 125 + | 2,328 € | 11,64 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 485-7412
- Nº ref. fabric.:
- STP10NK60Z
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET SuperMESH con protección zener | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | SuperMESH | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.75Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -30V, +30V | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 156W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Certificaciones y estándares | JESD97, ECOPACK | |
| Anchura | 4.6mm | |
| Altura | 9.15mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET SuperMESH con protección zener | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie SuperMESH | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.75Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -30V, +30V | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 156W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.4mm | ||
Certificaciones y estándares JESD97, ECOPACK | ||
Anchura 4.6mm | ||
Altura 9.15mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
Enlaces relacionados
- MOSFET SuperMESH con protección zener VDSS 600 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET de potencia SuperMESH VDSS 600 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET de potencia SuperMESH VDSS 600 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 75 V Mejora, TO-220 de 3 pines