MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 13 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
192-4649
Nº ref. fabric.:
STB18N60M6
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

13A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

STB

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

280mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

110W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

16.8nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.6V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

9.35mm

Altura

4.37mm

Longitud

10.4mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
La nueva tecnología M6 de MDmesh incorpora los avances más recientes a la conocida y consolidada familia de MOSFETs de SJ. STMicroelectronics se basa en la generación anterior de dispositivos MDmesh a través de su nueva tecnología M6, que combina una excelente mejora de RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más efectivos disponibles, así como una experiencia fácil de usar para obtener la máxima eficiencia de las aplicaciones finales.

Reducción de las pérdidas de conmutación

RDS(on) inferior por área frente a la generación anterior

Resistencia de entrada de punto de inyección baja

Protección Zener

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