MOSFET Infineon IPB60R180C7ATMA1, VDSS 600 V, ID 13 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

La serie MOSFET Infineon 600V Cool MOS™ C7 Super Junction (SJ) ofrece una reducción de ∼50 % en pérdidas de desconexión (E OSS ) en comparación con el Cool MOS™ CP, que ofrece un excelente nivel de rendimiento en PFC, TTF y otras topologías de conmutación dura. El IPL60R185C7 es también el complemento perfecto para diseños de cargador de alta densidad de potencia. Las aplicaciones de eficiencia y TCO (coste total de propiedad) como centros de datos hiperactivo y rectificadores de telecomunicaciones de alta eficiencia (>96%) se benefician de la mayor eficiencia que ofrece Cool MOS™ C7. Se pueden conseguir ganancias del 0,3 % al 0,7 % en topologías PFC y del 0,1 % en LLC. En el caso de una fuente de alimentación de servidor de 2,5 kW, por ejemplo, el uso de MOSFET 600V Cool MOS™ C7 SJ en un encapsulado TO-247 4pin puede dar lugar a una reducción del coste de energía de ∼10% para la pérdida de energía de la fuente de alimentación.

Parámetros de pérdida de conmutación reducida como Q G, C oss, E oss
Mejor factor de mérito de su clase Q G*R DS(on)
Frecuencia de conmutación aumentada
Mejor R (on)*A del mundo
Diodo de cuerpo resistente