MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 13 A, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
218-3097
Nº ref. fabric.:
IRF6215STRLPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

13A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Encapsulado

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

290mΩ

Disipación de potencia máxima Pd

110W

Tensión directa Vf

-1.6V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

44nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Certificaciones y estándares

No

Anchura

9.65 mm

Altura

4.83mm

Longitud

10.67mm

Estándar de automoción

No

MOSFET Infineon serie IRF de potencia de canal P sencillo. Este MOSFET utiliza Advanced Processing Techniques para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja por área de silicio. Es adecuado para aplicaciones de alta corriente.

Conmutación rápida

Canal P.

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

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