MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 13 A, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 218-3097
- Nº ref. fabric.:
- IRF6215STRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 bobina de 800 unidades)*
631,20 €
(exc. IVA)
764,00 €
(inc.IVA)
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 0,789 € | 631,20 € |
| 1600 + | 0,75 € | 600,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 218-3097
- Nº ref. fabric.:
- IRF6215STRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 13A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 290mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 44nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | -1.6V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Anchura | 9.65 mm | |
| Altura | 4.83mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 13A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 290mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 44nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf -1.6V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Longitud 10.67mm | ||
Anchura 9.65 mm | ||
Altura 4.83mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie IRF de potencia de canal P sencillo. Este MOSFET utiliza Advanced Processing Techniques para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja por área de silicio. Es adecuado para aplicaciones de alta corriente.
Conmutación rápida
Canal P.
Temperatura de funcionamiento de 175 °C