MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRF6215STRLPBF, VDSS 150 V, ID 13 A, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 218-3098
- Nº ref. fabric.:
- IRF6215STRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 15 unidades)*
24,255 €
(exc. IVA)
29,355 €
(inc.IVA)
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 1,617 € | 24,26 € |
| 75 - 135 | 1,537 € | 23,06 € |
| 150 - 360 | 1,504 € | 22,56 € |
| 375 - 735 | 1,407 € | 21,11 € |
| 750 + | 1,311 € | 19,67 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 218-3098
- Nº ref. fabric.:
- IRF6215STRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 13A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 290mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Tensión directa Vf | -1.6V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 44nC | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Anchura | 9.65 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 4.83mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 13A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 290mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Tensión directa Vf -1.6V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 44nC | ||
Longitud 10.67mm | ||
Anchura 9.65 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 4.83mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie IRF de potencia de canal P sencillo. Este MOSFET utiliza Advanced Processing Techniques para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja por área de silicio. Es adecuado para aplicaciones de alta corriente.
Conmutación rápida
Canal P.
Temperatura de funcionamiento de 175 °C