MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRF6215STRLPBF, VDSS 150 V, ID 13 A, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 218-3098
- Nº ref. fabric.:
- IRF6215STRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 1,691 € | 25,37 € |
| 75 - 135 | 1,607 € | 24,11 € |
| 150 - 360 | 1,573 € | 23,60 € |
| 375 - 735 | 1,471 € | 22,07 € |
| 750 + | 1,369 € | 20,54 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 218-3098
- Nº ref. fabric.:
- IRF6215STRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 13A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 290mΩ | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 44nC | |
| Tensión directa Vf | -1.6V | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 4.83mm | |
| Anchura | 9.65 mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 13A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 290mΩ | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 44nC | ||
Tensión directa Vf -1.6V | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 4.83mm | ||
Anchura 9.65 mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie IRF de potencia de canal P sencillo. Este MOSFET utiliza Advanced Processing Techniques para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja por área de silicio. Es adecuado para aplicaciones de alta corriente.
Conmutación rápida
Canal P.
Temperatura de funcionamiento de 175 °C