MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS -150 V, ID -13 A, TO-252
- Código RS:
- 258-3985
- Nº ref. fabric.:
- IRFR6215TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 258-3985
- Nº ref. fabric.:
- IRFR6215TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -13A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -150V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 580mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | -1.6V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 44nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -13A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -150V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 580mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf -1.6V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 44nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia HEXFET de Infineon es un HEXFET de quinta generación de International Rectifier que utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr la resistencia de conexión más baja posible por área de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo por el que los MOSFET de potencia HEXFET son bien conocidos, proporciona al diseñador un dispositivo muy eficiente para usar en una amplia variedad de aplicaciones. El D-PAK está diseñado para montaje en superficie utilizando técnicas de soldadura de fase de vapor, infrarrojos o por ola. La versión de cable recto es para aplicaciones de montaje en orificio pasante. Posibilidad de niveles de disipación de potencia hasta 1,5 vatios en aplicaciones de montaje superficial típicas.
Estructura de celda planar para SOA amplio
Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
mayor robustez
Amplia disponibilidad de socios de distribución
Nivel de cualificación estándar del sector