MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRFR5410TRLPBF, VDSS 100 V, ID 13 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 215-2601
- Número de artículo Distrelec:
- 304-39-424
- Nº ref. fabric.:
- IRFR5410TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | 1,224 € | 24,48 € |
| 40 - 80 | 1,163 € | 23,26 € |
| 100 - 180 | 1,114 € | 22,28 € |
| 200 - 480 | 1,065 € | 21,30 € |
| 500 + | 0,991 € | 19,82 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 215-2601
- Número de artículo Distrelec:
- 304-39-424
- Nº ref. fabric.:
- IRFR5410TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 13A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 205mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 58nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 66W | |
| Tensión directa Vf | -1.6V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 13A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 205mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 58nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 66W | ||
Tensión directa Vf -1.6V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El HEXFET Infineon de quinta generación de International Rectifier utiliza Advanced Processing Techniques para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja para el área de silicio. Estas ventajas, combinadas con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo robusto por los que se conoce el MOSFET de potencia HEXFET, proporcionan un dispositivo de nivel suficiente para, proporcionan a los diseñadores un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. El paquete D está diseñado para montaje en superficie con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o soldadura por ola.
Tecnología de procesos avanzados
Resistencia de encendido ultrabaja
Sin plomo
Valor nominal de avalancha total