MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS -40 V, ID -85 A, Mejora, TO-252
- Código RS:
- 258-3865
- Nº ref. fabric.:
- IPD85P04P407ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 258-3865
- Nº ref. fabric.:
- IPD85P04P407ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -85A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -40V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 7.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 69nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 88W | |
| Tensión directa Vf | -1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, DIN IEC 68-1 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -85A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -40V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 69nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 88W | ||
Tensión directa Vf -1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, DIN IEC 68-1 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El transistor de potencia OptiMOS-P2 de Infineon presenta las pérdidas de potencia de conmutación y conducción más bajas para la máxima eficiencia térmica. Encapsulados robustos con calidad y fiabilidad superiores.
No se necesita bomba de carga para accionamiento de lado alto
Circuito de controlador de interfaz sencilla
Capacidad de corriente más alta
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