MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS -40 V, ID -85 A, Mejora, TO-252

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RS Stock No.:
258-3865
Mfr. Part No.:
IPD85P04P407ATMA2
Brand:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

-85A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-40V

Serie

IPD

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

7.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

69nC

Disipación de potencia máxima Pd

88W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

-1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS, DIN IEC 68-1

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de potencia OptiMOS-P2 de Infineon presenta las pérdidas de potencia de conmutación y conducción más bajas para la máxima eficiencia térmica. Encapsulados robustos con calidad y fiabilidad superiores.

No se necesita bomba de carga para accionamiento de lado alto

Circuito de controlador de interfaz sencilla

Capacidad de corriente más alta

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