MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPD50P03P4L11ATMA2, VDSS -30 V, ID -50 A, Mejora, PG-TO-252

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
258-3842
Nº ref. fabric.:
IPD50P03P4L11ATMA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

-50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-30V

Serie

IPD

Encapsulado

PG-TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

10.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

58W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-0.31 V

Tensión directa Vf

-1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

42nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

DIN IEC 68-1, RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de potencia OptiMOS-2 de Infineon presenta las pérdidas de potencia de conmutación y conducción más bajas para la máxima eficiencia térmica. Encapsulados robustos con calidad y fiabilidad superiores.

Circuito de controlador de interfaz sencilla

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