MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD35N12S3L24ATMA1, VDSS 120 V, ID 35 A, Mejora, PG-TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 258-3840
- Nº ref. fabric.:
- IPD35N12S3L24ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,196 € | 10,98 € |
| 50 - 120 | 1,80 € | 9,00 € |
| 125 - 245 | 1,69 € | 8,45 € |
| 250 - 495 | 1,56 € | 7,80 € |
| 500 + | 1,448 € | 7,24 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 258-3840
- Nº ref. fabric.:
- IPD35N12S3L24ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 35A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 120V | |
| Serie | IPD | |
| Encapsulado | PG-TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 24mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 71W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 30nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 35A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 120V | ||
Serie IPD | ||
Encapsulado PG-TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 24mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 71W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 30nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El transistor de potencia OptiMOS-T de Infineon es un MOSFET de potencia para aplicaciones de automoción. Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.
Canal N - Modo de mejora
Certificación AEC Q101 de automoción
MSL1 hasta 260 °C de reflujo de pico
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