MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 35 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Ver todo MOSFET
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
Código RS:
215-2598
Nº ref. fabric.:
IRFR540ZTRPBF
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

35A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

28.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

59nC

Tensión directa Vf

1.3V

Disipación de potencia máxima Pd

91W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Este MOSFET Infineon HEXFET® Power utiliza las últimas técnicas de procesamiento 35A ID para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son una temperatura de funcionamiento de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetida mejorado. Estas características se combinan para hacer de este diseño un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

Tecnología de procesos avanzados

Resistencia de encendido ultrabaja

Sin plomo ni halógenos

Enlaces relacionados