MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 35 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
214-8951
Nº ref. fabric.:
AUIRFR540Z
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

35A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

28.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

39nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

91W

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.22mm

Altura

2.39mm

Anchura

6.73 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Los MOSFET Infineon HEXFET Power utilizan las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son temperatura de funcionamiento de unión de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetitiva mejorado . Estas características se combinan para convertir este diseño en un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en aplicaciones de automoción y una amplia variedad de otras aplicaciones.

Tecnología de procesos avanzados

Resistencia de encendido ultrabaja

Apto para automoción

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