MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AUIRFR540Z, VDSS 100 V, ID 35 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 214-8953
- Nº ref. fabric.:
- AUIRFR540Z
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 2,075 € | 20,75 € |
| 50 - 90 | 1,974 € | 19,74 € |
| 100 - 240 | 1,775 € | 17,75 € |
| 250 + | 1,766 € | 17,66 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 214-8953
- Nº ref. fabric.:
- AUIRFR540Z
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 35A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 28.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 39nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 91W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 2.39mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 6.73 mm | |
| Longitud | 6.22mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 35A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 28.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 39nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 91W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 2.39mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 6.73 mm | ||
Longitud 6.22mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Los MOSFET Infineon HEXFET Power utilizan las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son temperatura de funcionamiento de unión de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetitiva mejorado . Estas características se combinan para convertir este diseño en un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en aplicaciones de automoción y una amplia variedad de otras aplicaciones.
Tecnología de procesos avanzados
Resistencia de encendido ultrabaja
Apto para automoción
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